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真空装置

SPAR-311マグネトロンスパッタ装置

SPAR-311マグネトロンスパッタ装置

SPAR-311マグネトロンスパッタ装置は研究・実験用薄膜作成用のマグネトロンスパッタ装置です。
基板回転加熱機構と成膜室、スパッタターゲット機構、RF電源(もしくはDC/パルスDC電源)プロセスガス系等により構成されております。


SPAR-311マグネトロンスパッタ装置
Al2O3材料スパッタ

SPAR-311マグネトロンスパッタ装置
Cu材料スパッタ

主な仕様
真空性能
到達真空度5x10-5Pa以下
  
排気系
200L/secターボ分子ポンプ
 +200L/minロータリーポンプ(アイソレイトバルブ付)
ターゲット材料
金属、シリカガラス、セラミックス
誘電材料等(磁性体もご相談に応じます)
スパッタターゲットサイズ
φ2inch, 厚さ6mmまで対応可
(φ1inchターゲットも対応可)
スパッタ方式
マグネトロンスパッタ方式
スパッタヘッド(カソード)
基板・ターゲット間距離中心位置より中心に±20mm可変可能
基板温度
基板ホルダー面上500℃以上(800℃以上も対応可)
基板サイズ
最大φ2inch(各基板対応可能)
SPAR-311マグネトロンスパッタ装置 構成内容
スパッタターゲット機構
方式       :マグネトロンスパッタ方式
ターゲットサイズ:φ2インチ
ターゲット厚さ  :t6mm以下
ターゲットガン  :1器設置
    -オプションにより最大3器(切替対応)
冷却方式     :銅バッキングプレート
    -ボンディングによる水冷(間接)方式
スパッタガン距離:基板・ターゲット間
   距離基準位置を中心に±20mm可変
基板回転加熱機構
最大加熱温度  :500℃以上
           基板ホルダー面上
           (800℃以上も対応可)
  基板サイズ  :φ2インチ
  温度制御   :PIDコントローラ式
           シース熱電対
  基板回転   :自動回転式0〜10回/分
  基板シャッター:基板面保護用
真空計
フルレンジゲージ
  (コールドカソードピラニーゲージ)
成膜室
円柱状:約φ260mm
      高さ:約500mm
      *サイズ、ご相談に応じます。
ターゲット基板間位置確認用ビューポート
ターゲット表面確認用ビューポート
基板表面確認用ビューポート
RF電源
投入電力:300W(13.56MHz)
整合器 :手動及び自動同調整合器付属
プロセスガス導入系
Ar用マスフローコントローラ標準
酸素、窒素増設可能 上記より選択
オプション
  • ・膜厚計
        センサ方式:水晶振動子蒸着制御器
        モニター用コントローラ
  • ・パターンプレート機構
        製膜パターン、膜厚傾斜作成
  • ・バイアススパッタ(逆スパッタ)
        薄膜の自然酸化、カーボンの除去、クリーニングに使用します。
  • ・タッチパネル式コントロール
スパッタガン仕様
5KW電子ビーム
・銅BP(バッキングプレート)
 ボンディング式(間接水冷方式)
・ボンディングは、ハンダ、拡散接合対応可
・φ114フランジポートから導入可能
 (仕様により変更可能)
・T/S距離可変式(50mm〜150mm)
   *仕様により変更可能

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先端的なレーザー・光学技術と真空技術を融合し、新薄膜生成システム、精密加工システムを仕様用途に応じてカスタマイズすることにより、世界に1台の製品をご提供いたします。

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■ 17/02/06

【展示会出展のお知らせ】

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【展示会出展のお知らせ】

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【展示会出展のお知らせ】

2014/9/17(水)〜20(土)まで北海道大学札幌キャンパスで開催される『2014年 第75回 応用物理学会秋季学術講演会』の併設展示ブースに出展いたします。

■ 09/12/10

【NIMNOWの表紙に
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独立行政法人 物質・材料研究機構の広報誌、NIMSNOWの表紙にご掲載されました。 NIMSNOW2009年11月号